复旦大学微电子学院周鹏-刘春森团队在二维电子器件工程化领域取得重大突破，成功研发出全球首颗全功能二维-硅基混合架构闪存芯片“长缨（CY-01）”。该成果于北京时间10月8日晚在国际顶级期刊《自然》正式发表，标志着我国在新型存储芯片技术领域实现重要跨越。

该研究团队在半年前刚刚发布“破晓（PoX）”皮秒闪存器件的基础上，创新提出“长缨”架构，通过高密度单片互连技术将二维超快闪存器件与成熟硅基CMOS工艺深度集成。测试数据显示，该芯片支持8-bit指令操作、32-bit高速并行操作与随机寻址，芯片良率高达94.3%，性能显著超越当前主流Flash闪存技术。

研究团队攻克了二维材料与CMOS电路集成的世界级难题。由于CMOS电路表面存在高低起伏的元件结构，而二维材料仅1-3个原子层厚度，直接集成极易导致材料破损。团队创新采用模块化集成方案：先分别制造二维存储电路与CMOS控制电路，再通过微米尺度通孔实现三维堆叠，最终在原子尺度实现二者无缝贴合。

这项突破为新一代颠覆性器件缩短应用化周期提供了成功范例。团队表示，下一步将建立实验基地，联合产业伙伴在3-5年内实现兆量级集成目标，推动自主知识产权技术走向产业化应用。